Diodes apgrieztais sadalījums
Nov 02, 2019| Uzlādējiet droši ar SCHitec
Diodes apgrieztais sadalījums
Reversais sadalījums ir sadalīts divos gadījumos: Zenera sadalījums un lavīnas sadalījums. Augstas dopinga koncentrācijas gadījumā, jo barjeras apgabala platums ir mazs un reversais spriegums ir liels, kovalentās saites struktūra barjeras reģionā tiek iznīcināta, un valences elektroni tiek atdalīti no kovalentās saites, lai radītu elektronu caurumu pārus. , izraisot strauju strāvas pieaugumu, šo sadalījumu sauc par Zenera sadalījumu. Ja dopinga koncentrācija ir zema, barjeras apgabals ir plašs, un nav viegli izraisīt Zenera sabrukumu.
Lavīnas sabrukums
Cits avārijas veids ir lavīnas sabrukums. Kad apgrieztais spriegums tiek palielināts līdz lielākai vērtībai, pielietotais elektriskais lauks paātrina elektronu dreifēšanas ātrumu, saduroties ar valences elektroniem kovalentajā saitē un izsitot valences elektronus no kovalentās saites, lai radītu jaunu elektronu caurumu pāri. Jaunizveidotos elektronu caurumus paātrina elektriskais lauks un pēc tam izsit citus valences elektronus. Nesēji ir lavīnas palielināti, izraisot strauju strāvas pieaugumu. Šo sadalījumu sauc par lavīnu sabrukumu. Neatkarīgi no bojājuma, ja strāva nav ierobežota, tas var radīt neatgriezeniskus PN savienojuma bojājumus.


